Ang Samsung ay malawakang gumagawa ng pinakamaliit na DDR5 DRAM sa industriya, inihayag ng kumpanya noong Martes.
Ang bagong 14nm EUV DDR5 DRAM ay 14 nanometer lang at may limang layer ng extreme ultraviolet (EUV) na teknolohiya. Maaari itong umabot sa bilis na hanggang 7.2 gigabits bawat segundo, na higit sa dalawang beses ang bilis ng DDR4. Sinasabi rin ng Samsung na ang bagong EUV tech nito ay nagbibigay sa DDR5 DRAM ng pinakamataas na bit density, habang pinapataas ang produktibidad ng 20% at binabawasan ang konsumo ng kuryente ng 20%.
Ang EUV ay nagiging mas mahalaga habang patuloy na lumiliit ang laki ng DRAM. Nakakatulong ito na mapabuti ang katumpakan ng patterning, na kinakailangan para sa mas mataas na pagganap at mas malaking ani, sabi ng Samsung. Hindi naging posible ang extreme miniaturization ng 14nm DDR5 DRAM bago gamitin ang conventional argon fluoride (ArF) na paraan ng produksyon, at umaasa ang kumpanya na makakatulong ang bagong teknolohiya nito na tugunan ang pangangailangan para sa mas malaking performance at kapasidad sa mga larangan tulad ng 5G at artificial intelligence.
Sa susunod, sinabi ng Samsung na gusto nitong gumawa ng 24Gb 14nm DRAM chip para tumulong na matugunan ang mga pangangailangan ng mga global IT system. Plano din nitong palawakin ang 14nm DDR5 portfolio nito para suportahan ang mga data center, supercomputer, at enterprise server application.
